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射頻易商城_開關芯片_微波開關芯片的研究和設計③

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微波開關芯片的研究與設計

1.3 微波開關

微波開關從結構上可以分為雙端口開關和三端口開關，三端口開關可以由雙端口開關組合而成，雙端口開關主要指單刀單擲開關（SPST），如圖 1-1（a）所示，三端口開關主要指單刀雙擲開關（SPDT），如圖 1-1（b）所示，對于單刀多擲開關（SPMT， M>2），其本質上也屬于三端口開關，因為它們在任何一種工作模式下，等效電路的端口都可以歸結為發射端口、接收端口和隔離端口。開關自發射端口發射信號，在接收端口接收信號，隔離端口不希望接收到任何信號，通過切換工作模式，其端口定義發生改變，從而實現開關工作狀態的變化。雙端口
開關的接收端口和隔離端口相重合，當重合的端口依開關工作狀態而定義為接收端口時，發射端口到隔離端口支路自動開路，不用考慮這個支路上的信號損耗和泄露。因此雙端口開關的設計相較于三端口開關要簡單得多，而且也基于這個原因，雖然任意的三端口開關都可以拆解為兩個雙端口開關，但并不是所有的雙端口開關都可以組合成三端口開關。開關電路特性的好或壞主要可以從插入損耗、隔離度和功率處理能力等方面衡量。

1.4 硅基金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）

金屬氧化物半導體場效應管（MOSFET）是一種廣泛用于集成電路設計與制造的場效應晶體管。 MOSFET 在結構上以一個金屬（多晶硅） -氧化層-半導體襯底的電容為核心，通過改變這個電容的電壓控制反型層的寬度，從而控制流過溝道的電流大小。 MOSFET 工藝越先進，意味著其溝道長度越小，溝道電阻越小，同時也意味著柵極、源極和漏級面積減少，從而可以降低等效的柵極電容和寄生電容。另外，更小的柵長也使 MOSFET 的單位電流增益截止頻率（f t ）更高，從而所允許的工作頻率也更高。但是，柵長越小的 MOSFET 柵氧化層會越薄，從而柵極
擊穿電壓會減小。而且，短溝道效應會更加嚴重，這進一步惡化 MOSFET 的穩定性和可靠性。

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頻率 : 0.1 – 40 GHz
損耗: 1.5 dB
隔離度 : 40 dBm
控制電壓 : 控制電壓：±5 V

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