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高電容密度硅基MIS芯片電容③

電容器的性能很大程度 _j 取決于介質層的質量，尤其對于 3D-M IS 電容來說，刻蝕后孔的深寬比很高，孔內介質均勻淀積的難度很大。實驗采用0 N () 復合介質層，第一層 s i() 采用熱氧生長．第二層 Si。 N 與第三層 Si( )! 均采用低壓化學氣相沉積( L ow p ress ure ch em ic al vapo r depo sitio n ，

L PC V D ) 生長。采用這種 O N( ) 復合介質層既可以保證介質層與孔側壁的良好粘附性，另外由于Si。N 的引入可以有效提高介質層的介電常數，有助于進一步提高電容密度。圖 4 足這種復合介質層的 SE M 圖，可以看出介質層的覆蓋均勻性良好。介質層淀積后還需進行孔內導電物的填充，一方面達到表面平坦化的目的，利于后續電極的制備，另一方面使導電物與深孑L內部的介電層充分接觸達到電容有效面積的化。實驗采用摻雜多晶硅進行孔內填充，因為摻雜多晶硅相比金屬其熱膨脹系數與硅更為接近，可以有效避免在高溫下由于熱失配造成的硅柱變形甚至斷裂。如圖 5(a ) 所示，當生長溫度較高時 ( 620℃ ) ，多晶硅在深孔上部生長速率高于底部，容易形成不完全填充從而局部會出現一些空洞或者縫隙。如圖 5( 1 ) 所示，當將生長溫度降低至580℃時，深孔上部的沉積速度得到了有效抑制，從而實現了深孔內部的無空洞填充以及表面平坦化。

推薦產品一、麗芯微電10000pF, ≥1G@25V, 單面留邊單層芯片電容

型號：C12-90-25V-103
容值/容差：10000pF / ±20%
溫度系數：±15%@-55～+125℃
絕緣電阻@電壓：≥1G@25V
損耗@頻率：≤2.5@1MHz
封裝尺寸：2.290*2.290*0.178 mm
性能特點：尺寸小、容值大，結構簡單，單面電極留有絕緣邊;采用MM結構，產品寄生參數小，使用頻率高至100GHz;表面純金電極，適合金絲、金帶等微組裝工藝;適合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、導電膠粘接;七專級/ 普軍級可選。

推薦產品二、麗芯微電1000pF, ≥1G@50V, 單面留邊單層芯片電容

型號：C12-30-50V-102
容值/容差：1000pF / ±20%
溫度系數：±15%@-55～+125℃
絕緣電阻@電壓：≥1G@50V
損耗@頻率：≤2.5@1MHz
封裝尺寸：0.762*0.762*0.178 mm
性能特點：尺寸小、容值大，結構簡單，單面電極留有絕緣邊;采用MM結構，產品寄生參數小，使用頻率高至100GHz;表面純金電極，適合金絲、金帶等微組裝工藝;適合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、導電膠粘接;七專級/ 普軍級可選。