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功率放大器放大電路的回顧與展望

隨著晶體管制造技術(shù)的不斷提高和新技術(shù)的應(yīng)用， 各項(xiàng)實(shí)用性指標(biāo)和可靠性指標(biāo)都有很大改善， 并不斷在向更大的輸出功率， 更小的體積， 更輕的重量， 更多的功能和智能化方向發(fā)展， 如美國 ＣＲＯＷＮ公司的 ＭＡ－５０００ＶＺＡ功放， 其輸出功率可達(dá) ４０００Ｗ／８?（橋接， 單通道）； 完善的可靠性設(shè)計(jì)使它在苛刻的環(huán)境中可連續(xù)工作， 使得生產(chǎn)者可作 ３ 年免維護(hù)的保證； 插入可編程的輸入處理模塊 ＵＳＰ３； 可對(duì)１￣２０００臺(tái)功放的工作狀態(tài)進(jìn)行程控調(diào)節(jié)和各種參數(shù)檢測(cè)。 各種完善的可靠性保護(hù)措施， 使它的可靠性大大提高， 可與電子管功放媲美。 　晶體管功放具有許多寶貴優(yōu)點(diǎn)， 它的失真低于萬分之一， 但其音質(zhì)聽感總不如電子管功放那么逼真， 細(xì)膩， 尤其是在表現(xiàn)瞬態(tài)變化快而清脆的打擊樂， 弦樂和渾厚回蕩的鋼琴曲方面感覺最明顯。 ２０世紀(jì) ８０年代初， 歐洲有些專業(yè)公司開始研究晶體管功放與電子管功放之間的性能差異及解決辦法。 電子管是一種電壓控制器件， 需要的控制功率極微， 開關(guān)速率很快。 晶體管是一種電流控制器件， 需有較大的控制電流， 轉(zhuǎn)換速率較慢， 這是最基本的差別。 ８０年代中期歐洲首先推出了采用ＭＯＳＦＥＴ音頻場(chǎng)效應(yīng)管功放。 ＭＯＳＦＥＴ場(chǎng)效應(yīng)晶體管既具有晶體管的基本優(yōu)點(diǎn)。 但使用不久發(fā)現(xiàn)這種功放的可靠性不高（無法外電路保護(hù)）， 開關(guān)速度提高得不多和輸出功率僅為 １５０Ｗ／８? 等。 ９０年代初， ＭＯＳＦＥＴ的制造技術(shù)有了很大突破， 出現(xiàn)了一種高速 ＭＯＳＦＥＴ大功率開關(guān)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。 西班牙藝格公司（ＥＣＬＥＲ） 經(jīng)多年研究， 攻克了非破壞性保護(hù)系統(tǒng)的 ＳＰＭ專利技術(shù)， 推出了集電子管功放和晶體管功放兩者優(yōu)點(diǎn)結(jié)合的第 ３代功放產(chǎn)品， 在歐洲市場(chǎng)上獲得了認(rèn)可， 并逐步在世界上得到了應(yīng)用。 第 ３代 ＭＯＳＦＥＴ功放的中頻和高頻音質(zhì)接近電子管功放， 但低頻的柔和度比晶體管功放差一些， 此外 ＭＯＳＦＥＴ開關(guān)場(chǎng)效應(yīng)管容易被輸出和輸入過載損壞。 　　數(shù)字功放的概念早在 ２０世紀(jì) ６０年代就有人提出了，由于當(dāng)時(shí)技術(shù)條件的限制，進(jìn)展一直較慢。 １９８３年， Ｍ．Ｂ．Ｓａｎｄｌｅｒ等學(xué)者提出了 Ｄ類放大的 ＰＣＭ（脈碼調(diào)制）數(shù)字功放的基本結(jié)構(gòu)。 主要技術(shù)要點(diǎn)是如何把 ＰＣＭ信號(hào)變成 ＰＷＭ（脈沖調(diào)寬信號(hào)）。美國 Ｔｒｉｐａｓｓ 公司設(shè)計(jì)了改進(jìn)的 Ｄ類數(shù)字功放， 取名為“Ｔ”類功 １９９９ 年意大利ＰＯＷＥＲＳＯＦＴ公司推出了數(shù)字功放的商業(yè)產(chǎn)品， 從此， 第 ４代音頻功率放大器， 數(shù)字功放進(jìn)入了工程應(yīng)用， 并獲得了世界同行的認(rèn)可， 市場(chǎng)日益擴(kuò)大， 最終將替代各類模擬功放。 　

推薦產(chǎn)品一、麗芯微電 2 to 6GHz, LXA2003 GaN 功率放大器

工作頻率范圍：2~6GHz
輸出功率：dBm
增益：23dB
輸入駐波：
電源：28V/1200mA

推薦產(chǎn)品二、麗芯微電 25 to 27GHz, LXA2008 GaAs 功率放大器

工作頻率范圍：25~27GHz
輸出功率：18.5dBm
增益：21dB
輸入駐波：
電源：4V/70mA

推薦產(chǎn)品三、麗芯微電 3.4 to 8.5GHz, LXA2009 GaAs 功率放大器

工作頻率范圍：3.4~8.5GHz
輸出功率：26dBm
增益：28dB
輸入駐波：
電源：6V/320mA

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