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導讀：很多朋友不知道芯片電容中的超級電容器芯片制作方法，如何選擇芯片電容。射頻易商城RFeasy.cn為你解答電容的制作方法簡介。

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超級電容器芯片的制作方法簡介③

芯片電容

開發長循環壽命、高比能量和高功率密度的儲能器件一直是諸多領域研究者關注的熱點課題之一。隨著社會科技的發展，如電動汽車等許多領域對電源功率的要求大大提高，已經遠遠超出了電池的承受能力。傳統的電容器雖然功率非常大，但其能量密度有限，也不能滿足實際需要。超級電容器，也叫電化學電容器，其性能介于傳統電容器和電池之間，兼有電池高比能量和傳統電容器高比功率的特點。超級電容器在混合動力汽車，大功率雷達，移動電話信息備份電源，筆記本電腦和無電池遙控器等方面有著重要應用。隨著微型化、柔性化電子器件的發展，市場對與之匹配的微型儲能器件的需求也越來越大，超級電容器的小型化顯著減少了占據面積，因此更多的功能性器件有機會與Microsoft群集服務(MSCs) 集成到微電子技術中。這種在有限空間/占地面積內的多功能集成可以極大地促進微電子器件的發展，提高工作效率和可靠性，減少維護/能源成本。然而，單個微型儲能器件的輸出電壓和電流有限，難以滿足需要高電壓、大電流驅動的應用需求。

推薦產品一、麗芯微電3300pF, ≥1G@25V, 單面留邊 單層芯片電容

型號：C12-50-25V-332
容值/容差：3300pF / ±20%
溫度系數：±15%@-55～+125℃
絕緣電阻@電壓：≥1G@25V
損耗@頻率：≤2.5@1MHz
封裝尺寸：1.270*1.270*0.150 mm
性能特點：尺寸小、容值大，結構簡單，單面電極留有絕緣邊;采用MM結構，產品寄生參數小，使用頻率高至100GHz;表面純金電極，適合金絲、金帶等微組裝工藝;適合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、導電膠粘接;七專級/ 普軍級可選。

推薦產品二、麗芯微電330pF, ≥1G@50V, 單面留邊 單層芯片電容

型號：C12-25-50V-331
容值/容差：330pF / ±20%
溫度系數：±15%@-55～+125℃
絕緣電阻@電壓：≥1G@50V
損耗@頻率：≤2.5@1MHz
封裝尺寸：0.635*0.635*0.178 mm
性能特點：尺寸小、容值大，結構簡單，單面電極留有絕緣邊;采用MM結構，產品寄生參數小，使用頻率高至100GHz;表面純金電極，適合金絲、金帶等微組裝工藝;適合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、導電膠粘接;七專級/ 普軍級可選。

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