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導讀：很多朋友不知道微波開關的研究與設計，如何選擇微波開關。射頻易商城RFeasy.cn為你解答微波開關的研究與設計

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微波開關芯片的研究與設計

隨著無線通信技術的不斷發展， 現代微波系統對成本和集成度的要求越來越高， 因此， 采用互補金屬氧化物半導體（CMOS） 工藝將微波收發系統所有模塊集成在同一塊硅晶片上一直都是國內外研究的熱點。 目 前， 微波功率放大器和微波開關由于高功率處理能力的要求是微波前端實現全集成的主要限制因素， 這篇文章主要對硅基 CMOS 微波開關進行研究， 推動微波系統的前進與發展。本文對微波開關關鍵性能參數進行了詳細地研究， 并著重針對功率處理能力提出了改善方法， 同時也探究了關鍵無源器件的模型和工作機制， 以指導高品質無源器件的設計。

絕緣體上硅（SOI） 工藝由于埋氧層而可以使用高阻硅襯底緩解襯底耦合效應。低頻微波開關使用浮體型絕緣體上硅 N 溝通場效應晶體管（FB SOI NMOSFET） ，采用串并式結構， 使用晶體管串疊改善功率處理能力。 論文對其封裝也進行了考慮， 并與開關進行聯合仿真與設計， 減小封裝對開關微波性能的影響。通過對高頻低插損微波開關的測試， 在 16GHz， 發射模式和接收模式的測試插損分別為 4.3dB 和 4.1dB， 隔離度分別為 26dB 和 24dB， 輸入 0.1dB 功率壓縮點IP 0.1dB ） 和輸入 1dB 功率壓縮點（IP 1dB ） 分別為 8dBm 和 13.5dBm。 高頻高隔離度微波開關的測試結果表明： 在 17.5GHz， 發射模式和接收模式的插損分別為 2.7dB和 2.3dB， 隔離度分別為42dB和 31dB， 發射模式的 IP 1dB 為22dBm， IP 0.1dB 為17dBm。低頻高功率處理能力開關的仿真結果表明： 各工作模式的插入損耗小于 1.1dB， 隔離度大于 25dB， IP 1dB 約 44dBm, IP 0.1dB 約 41dBm。所設計的微波 CMOS 開關基本符合預期的性能要求， 對硅基 CMOS 全集成微波系統的發展有一定的推動作用和借鑒意義。

推薦產品一、麗芯微電 0.1 to 40GHz, LXA4181 SPST開關,射頻開關

頻率 : 0.1 – 40 GHz
損耗: 0.6 dB
隔離度 : 40 dBm
控制電壓 : 控制電壓 ：±5 V

推薦產品二、麗芯微電 0.1 to 40GHz, LXA4281 SPDT開關,射頻開關

頻率 : 0.1 – 40 GHz
損耗: 0.5 dB
隔離度 : 50 dBm
控制電壓 : 控制電壓 ：±5 V

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